物理光學(xué)綜合實(shí)驗(yàn)  型號(hào)：RLE-ME03

是光學(xué)與光學(xué)工程專(zhuān)業(yè)的主要理論基礎(chǔ)，本實(shí)驗(yàn)以光的波動(dòng)性為主要研究對(duì)象，從電磁波理論和傅里葉分析兩個(gè)角度，研究光的傳播、干涉、衍射、偏振等性質(zhì)。RealLight®應(yīng)用新一代空間光調(diào)制器(SLM)，從波的疊加原理出發(fā)研究光的干涉規(guī)律，討論光的相干性；圍繞衍射闡述光的波動(dòng)性，運(yùn)用SLM模擬二元光學(xué)元件，從實(shí)際出發(fā)研究光的衍射；研究光在晶體中的傳播特性和偏振元件對(duì)光的作用。本實(shí)驗(yàn)是緊貼光電專(zhuān)業(yè)《工程光學(xué)》等相關(guān)課程的專(zhuān)業(yè)配套實(shí)驗(yàn)。

實(shí)驗(yàn)內(nèi)容

1、楊氏雙縫干涉實(shí)驗(yàn)；

2、馬赫-曾德干涉實(shí)驗(yàn)；

3、菲涅爾衍射實(shí)驗(yàn)（圓孔、矩孔、三角形、多邊形孔）；

4、夫瑯禾費(fèi)衍射實(shí)驗(yàn)（圓孔、矩孔、三角形、多邊形孔）；

5、衍射光學(xué)元件（DOE）設(shè)計(jì)；

6、偏振光產(chǎn)生與檢驗(yàn)（線偏振、圓偏振、橢圓偏振）                          

7、馬呂斯定律驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)；           

8、波片與偏振光實(shí)驗(yàn)（左旋偏振光、右旋偏振光）                            

9、偏振干涉實(shí)驗(yàn)（波片的快軸、慢軸）

物理光學(xué)綜合實(shí)驗(yàn)

產(chǎn)品名稱(chēng)：雜質(zhì)濃度測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào)： KDB-1A

產(chǎn)品簡(jiǎn)介 
原理：根據(jù)硅、鍺單晶的遷移率、電阻率和雜質(zhì)濃度的關(guān)系，可直接測(cè)量、計(jì)算出晶體內(nèi)的雜質(zhì)濃度。  
范圍：它適合于測(cè)量橫截面尺寸是可測(cè)量的，而且棒的長(zhǎng)度大于橫截面線度的有規(guī)則的長(zhǎng)棒，例如橫斷面為圓形、正方形、長(zhǎng)方形或梯形的單晶或多晶錠。  
用途：根據(jù)測(cè)量沿錠長(zhǎng)雜質(zhì)濃度的分布狀況決定產(chǎn)品的合格部分，通過(guò)雜質(zhì)濃度的直接測(cè)量，決定晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的摻雜數(shù)量。  
樣品可在常溫或低溫下測(cè)量。  
顯示方式：儀器連接PC機(jī)，通過(guò)測(cè)試軟件計(jì)算，用對(duì)數(shù)坐標(biāo)的方式來(lái)顯示雜質(zhì)濃度（含次方數(shù)）沿錠長(zhǎng)的分布曲線，可對(duì)曲線圖進(jìn)行打印和保存。  
測(cè)量范圍： 可測(cè)晶體電阻率：0.005-3000Ω·cm。  
直流數(shù)字電壓表測(cè)量范圍：0-199.99mV，靈敏度：10μA。

產(chǎn)品名稱(chēng)：材料高溫綜合物性測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào)： SQW-II-14

材料高溫綜合物性測(cè)試儀型號(hào)： SQW-II-14

 本儀器無(wú)機(jī)金屬材料高溫、常溫綜合性能的測(cè)定，也模擬液態(tài)金屬向鑄型中澆注的真況所進(jìn)行的造型混合料高溫性能試驗(yàn)。  
    本儀器主要是供科研單位，高等工科院校和工廠試驗(yàn)測(cè)量無(wú)機(jī)非金屬材料、造型混合料高溫性能之用，主要可在室溫～1400℃范圍內(nèi)作下列試驗(yàn)。  
    高溫下試樣的熱膨脹、 高溫抗壓強(qiáng)度、試樣的熱膨脹力、固定載荷下試樣的熱變形、殘留強(qiáng)度、常溫抗壓強(qiáng)度。  
    主要技術(shù)參數(shù)  
    1．試樣標(biāo)準(zhǔn)：Ф30×50㎜圓椎體。  
    2．負(fù)荷范圍：0～28.29MP（0～2000㎏）。  
    3．測(cè)定變形范圍：0～±5㎜顯示分辯0.01㎜。  
    4．加熱溫度范圍：正常工作溫度≥室溫～1350℃，短時(shí)間達(dá)1400℃  
    5．測(cè)力精度：＜±1%FS。  
    6．測(cè)變形精度＜±1%FS。  
    7．升溫速度：用戶(hù)設(shè)定，等速升溫，程序控制，兩個(gè)程序段。  
    8．硅碳管高溫爐參數(shù):爐堂尺寸Ф50㎜。電爐功率2.5kw。  
    9．加載速度：0.8～8㎜/分  手動(dòng)調(diào)節(jié)。  
    10．儀器主體：長(zhǎng)×寬×高=720×500×1644㎜； 控制柜：臺(tái)式、立式兩種；  
    11．整機(jī)重：500㎏；整機(jī)功耗：＜3kw。  
    12．工作條件。環(huán)境溫度：0～40℃  相對(duì)濕度＜85﹪RH。電源：交流單相220V±10﹪50HZ。無(wú)強(qiáng)磁干擾，無(wú)強(qiáng)列振動(dòng)，無(wú)腐蝕氣體，要求供電系統(tǒng)可靠接地。  
    13. 可上網(wǎng)實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)在線遠(yuǎn)程技術(shù)支持及遠(yuǎn)程測(cè)控和傳輸